闻泰科技旗下安世半导体推出首款高性能SiC MOSFET器件持续加码电动汽车充电桩市场

　　（原标题：闻泰科技旗下安世半导体推出首款高性能SiC MOSFET器件持续加码电动汽车充电桩市场）

　　随着电动汽车的迅猛发展，电力充电桩市场成为引领未来的产业热点。在这个充满活力的市场中，闻泰科技旗下安世半导体（Nexperia）于近日宣布推出其首款碳化硅（SiC）MOSFET器件，同时发布两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立器件，积极布局电动汽车充电桩市场。

　　这两款全新器件的推出标志着安世半导体在碳化硅技术领域取得了重大突破。相关负责人表示，这次推出的器件具有高可用性，专为电动汽车充电桩、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等汽车和工业应用而设计，满足了市场对高性能SiC MOSFET的迫切需求，现已投入大批量生产。未来，安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。

　　安世半导体是闻泰科技的全资子公司，总部位于荷兰，作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，其器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域。此前，安世半导体与三菱电机共同宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发SiCMOSFET分立产品，标志着安世半导体在碳化硅技术领域取得了重大进展。如今，双方合作的开篇之作现已批量供货，安世半导体未来还计划发布车规级MOSFET。

　　安世半导体高级总监兼SiC产品部主管KatrinFeurle表示：“Nexperia和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新，这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiCMOSFET器件，这些器件在多个参数上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiCMOSFET的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能的发展。”

　　三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理岩上彻（Toru Iwagami）表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的平衡。”

　　据悉，安世半导体此前还宣布与总部位于奥地利的汽车电子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH（京瓷安施）将深化现有长期合作关系，共同生产新型650V、20A SiC整流器模块，预计将于2024年一季度推出样品。

　　安世半导体以其在碳化硅技术领域的不断突破和与行业巨头的紧密合作，不仅在半导体领域展现出强大的技术实力，也为全球电力电子领域的发展注入新的动力。未来，安世半导体将继续引领行业的发展，不断为客户提供更好的产品和服务，为全球用户带来更多创新和价值。

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